fab 34 文章進(jìn)入fab 34技術(shù)社區

ST宣布擴大新加坡"廠(chǎng)內實(shí)驗室"項目，推進(jìn)"壓電MEMS"開(kāi)發(fā)應用

●? ?新一期廠(chǎng)內實(shí)驗室合作項目包括與新加坡科技研究局屬下材料研究與工程研究所 (A*STAR IMRE) 以及新加坡國立大學(xué) (NUS)的合作項目●? ?此為新加坡半導體行業(yè)迄今為止最大的公私研發(fā)合作項目之一●? ?專(zhuān)注于推進(jìn)壓電微電機系統（MEMS）技術(shù)產(chǎn)品在個(gè)人電子產(chǎn)品、醫療設備等領(lǐng)域的應用服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)日前宣布與新加坡科技研究局微電子研究所 (
關(guān)鍵字：意法半導體 Lab-in-Fab 廠(chǎng)內實(shí)驗室壓電MEMS

英特爾將在愛(ài)爾蘭工廠(chǎng)大批量生產(chǎn)3nm芯片

據外媒報道，英特爾確認將于今年晚些時(shí)候在其位于愛(ài)爾蘭萊克斯利普的Fab 34量產(chǎn)3nm芯片。據了解，Intel 3是該公司的第二個(gè)EUV光刻節點(diǎn)，每瓦性能比Intel 4工藝提高了18%。Intel公司在年度報告中表示，該工藝于2024年在美國俄勒岡州完成首批量產(chǎn)，2025年產(chǎn)能將全面轉至愛(ài)爾蘭萊克斯利普工廠(chǎng)。據介紹，英特爾同步向代工客戶(hù)開(kāi)放Intel 4/3/18A及成熟制程7nm / 16nm工藝。此外，該公司還與聯(lián)電合作開(kāi)發(fā)12nm代工工藝。英特爾還表示：基于Intel 18A工藝的客戶(hù)端處理器Pa
關(guān)鍵字：英特爾 3nm Fab 34 14A

X-FAB推出基于其110nm車(chē)規BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數據存儲解決方案

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一項非易失性存儲領(lǐng)域的重大創(chuàng )新。該創(chuàng )新利用X-FAB同類(lèi)最佳的SONOS技術(shù)：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節點(diǎn)平臺，X-FAB可為客戶(hù)提供符合AECQ100 Grade-0標準的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2025年起，X-FAB還計劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲空間的EEPRO
關(guān)鍵字： X-FAB BCD-on-SOI 嵌入式數據存儲

X-FAB新一代光電二極管顯著(zhù)提升傳感靈敏度

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其現有為光學(xué)傳感器而特別優(yōu)化的180nm CMOS半導體工藝平臺——XS018上，現推出四款新型高性能光電二極管。豐富了光電傳感器的產(chǎn)品選擇，強化了X-FAB廣泛的產(chǎn)品組合。2×2光電二極管排列布局示例圖此次推出的四款新產(chǎn)品中，兩款為響應增強型光電二極管doafe和dobfpe，其靈敏度在紫外、可見(jiàn)光和紅外波長(cháng)（全光譜）上均有所提升；另外還有兩款先進(jìn)的紫外線(xiàn)專(zhuān)用光電二極管dosuv和dosu
關(guān)鍵字： X-FAB 光電二極管傳感靈敏度

Intel出售愛(ài)爾蘭工廠(chǎng)49%股份：獲110億美元緩解財務(wù)壓力

6月6日消息，據媒體報道，英特爾近期宣布，已同意以110億美元的價(jià)格將其位于愛(ài)爾蘭的Fab 34芯片工廠(chǎng)49%的股份出售給阿波羅全球管理公司。這一舉措旨在為英特爾的大規模擴張計劃引入更多外部資金，同時(shí)緩解公司的財務(wù)壓力。根據英特爾的聲明，通過(guò)此次交易，英特爾將出售Fab 34芯片工廠(chǎng)相關(guān)實(shí)體中49%的股份，而保留51%的股份，保持對工廠(chǎng)的控股權。Fab 34工廠(chǎng)是英特爾在歐洲唯一一家使用極紫外線(xiàn)（EUV）光刻技術(shù)的芯片制造工廠(chǎng)，對采用Intel 4和Intel 3制程的晶圓提供支持，迄今為止，英特爾已在該
關(guān)鍵字：英特爾 Fab

X-Fab增強其180納米車(chē)規級高壓CMOS代工解決方案

Source:Yulia Shaihudinova/iStock/Getty Images Plus via Getty Images模擬/混合信號和專(zhuān)業(yè)晶圓代工廠(chǎng)X-Fab Silicon Foundries SE（X-Fab）日前推出了其XP018高壓互補型金屬氧化物半導體（CMOS）制造平臺的更新。5月16日發(fā)布的一篇新聞稿表示，該平臺現在包括全新的40 V和60 V高壓基礎器件，可提供可擴展的安全工作區（安全工作區）以提高運行穩健性。這些第二代器件在RDSon數據上也有顯著(zhù)降低，與此前版本相比降低
關(guān)鍵字： X-Fab 180納米高壓CMOS代工

聯(lián)電新加坡Fab 12i P3新廠(chǎng)首批設備到廠(chǎng)

據聯(lián)電（UMC）官網(wǎng)消息，5月21日，聯(lián)電在新加坡Fab 12i舉行第三期擴建新廠(chǎng)的上機典禮，首批設備到廠(chǎng)，象征公司擴產(chǎn)計劃建立新廠(chǎng)的重要里程碑。據悉，聯(lián)電曾表示新加坡Fab12i P3旨在成為新加坡最先進(jìn)半導體晶圓代工廠(chǎng)之一，提供22/28nm制程，以支持5G、物聯(lián)網(wǎng)和車(chē)用電子等領(lǐng)域需求，總投資金額為50億美元。據了解，聯(lián)電早在2022年2月宣布了在新加坡Fab 12i P3廠(chǎng)的擴建計劃。當時(shí)消息稱(chēng)，新廠(chǎng)第一期月產(chǎn)能規劃30,000片晶圓，2024年底開(kāi)始量產(chǎn)，后又在2022年底稱(chēng)，在過(guò)程中因缺工缺料及
關(guān)鍵字：聯(lián)電 Fab 設備

X-FAB增強其180納米車(chē)規級高壓CMOS代工解決方案

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導體制造平臺，增加全新40V和60V高壓基礎器件——這些器件具有可擴展SOA，提高運行穩健性。與上一代平臺相比，此次更新的第二代高壓基礎器件的RDSon阻值降低高達50%，為某些關(guān)鍵應用提供更好的選擇——特別適合應用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統中。XP018平臺作為一款模塊化180納米高壓EPI技術(shù)解決方案，基于低掩模數5V單柵極核心模塊，支持-40°C
關(guān)鍵字： X-FAB 180納米高壓CMOS 代工

X-FAB引入圖像傳感器背照技術(shù)增強CMOS傳感器性能

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，其光學(xué)傳感器產(chǎn)品平臺再添新成員——為滿(mǎn)足新一代圖像傳感器性能的要求，X-FAB現已在其備受歡迎的CMOS傳感器工藝平臺XS018（180納米）上開(kāi)放了背照（BSI）功能。BSI工藝截面示意圖通過(guò)BSI工藝，成像感光像素性能將得到大幅增強。這一技術(shù)使得每個(gè)像素點(diǎn)接收到的入射光不會(huì )再被后端工藝的金屬層所遮擋，從而大幅提升傳感器的填充比，最高可達100%。由于其能夠獲得更高的像素感光靈敏度，因而在暗
關(guān)鍵字： X-FAB 圖像傳感器背照技術(shù) CMOS傳感器

格科微發(fā)布系列5000萬(wàn)像素圖像傳感器

12月22日，科創(chuàng )板上市公司格科微（688728.sh）成功舉辦以“Fab-Lite新模式·引領(lǐng)中國芯未來(lái)”為主題的20周年慶典暨臨港工廠(chǎng)投產(chǎn)儀式，及2023年產(chǎn)品推介會(huì )暨CEO交流會(huì )。圖1 格科微20周年慶典暨臨港工廠(chǎng)投產(chǎn)儀式.JPG以讓世界看見(jiàn)中國的創(chuàng )新為使命，格科微經(jīng)過(guò)二十年的發(fā)展，成功實(shí)現了從Fabless到Fab-Lite的戰略轉型，迎來(lái)了歷史最佳的經(jīng)營(yíng)局面。值此良機，格科微高端產(chǎn)品再傳佳訊，公司推出三款全新單芯片高階產(chǎn)品，為未來(lái)加速核心技術(shù)產(chǎn)品化，邁向嶄新的發(fā)展階段奠定了基礎。整個(gè)活動(dòng)，政府領(lǐng)
關(guān)鍵字： Fab-Lite 格科微 5000萬(wàn)像素圖像傳感器

總投資573億元！中芯國際12英寸晶圓代工生產(chǎn)線(xiàn)新進(jìn)展

據臨港新片區管委會(huì )官網(wǎng)披露文件顯示，日前，中芯國際臨港12英寸晶圓代工生產(chǎn)線(xiàn)項目城鎮污水排入排水管網(wǎng)許可順利獲批。據悉，中芯國際臨港12英寸晶圓代工生產(chǎn)線(xiàn)項目由中芯國際和中國（上海）自由貿易試驗區臨港新片區管理委員會(huì )合作規劃建設。根據協(xié)議，雙方共同成立合資公司，規劃建設產(chǎn)能為10萬(wàn)片/月的12英寸晶圓代工生產(chǎn)線(xiàn)項目，聚焦于提供28納米及以上技術(shù)節點(diǎn)的集成電路晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。據中芯國際發(fā)布的公告顯示，該項目計劃投資約88.7億美元（折合人民幣約573億元），這也是中芯國際在上海的第一個(gè)按照Twin Fa
關(guān)鍵字：中芯國際 12英寸晶圓代工廠(chǎng) Twin Fab

X-FAB推出針對近紅外應用的新一代增強性能SPAD器件

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，推出專(zhuān)用近紅外版本的單光子雪崩二極管（SPAD）器件組合。與2021年發(fā)布的前一代SPAD保持同步，新版本也是基于X-FAB 180納米工藝的XH018平臺。得益于在制造過(guò)程中增加的額外工藝流程，在保持同樣低的本底噪聲水平的同時(shí)，顯著(zhù)增強信號，而且不會(huì )對暗計數率、后脈沖和擊穿電壓等參數產(chǎn)生負面影響。X-FAB通過(guò)推出這一最新版本的產(chǎn)品，成功豐富了其SPAD產(chǎn)品的選擇范圍，提升了解決眾多視近紅外
關(guān)鍵字： X-FAB 近紅外 SPAD

X-FAB在制造工藝上的突破為電隔離解決方案增加CMOS集成選項

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在電隔離技術(shù)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展——X-FAB在2018年基于其先進(jìn)工藝XA035推出針對穩健的分立電容或電感耦合器優(yōu)化之后，現又在此平臺上實(shí)現了將電隔離元件與有源電路的直接集成。這是X-FAB對半導體制造工藝上的又一重大突破。這一集成方法使隔離產(chǎn)品的設計更加靈活，從而應對可再生能源、EV動(dòng)力系統、工廠(chǎng)自動(dòng)化和工業(yè)電源領(lǐng)域的新興機遇。XA035基于350納米工藝節點(diǎn)，非常適合制造車(chē)用傳感器和高壓工
關(guān)鍵字： X-FAB 電隔離解決方案

X-FAB最新的無(wú)源器件集成技術(shù)擁有改變通信行業(yè)游戲規則的能力

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，新增集成無(wú)源器件（IPD）制造能力，進(jìn)一步增強其在射頻（RF）領(lǐng)域的廣泛實(shí)力。公司在歐洲微波展（9月17至22日，柏林）舉辦前夕推出XIPD工藝；參加此次活動(dòng)的人員可與X-FAB技術(shù)人員（位于438C展位）就這一創(chuàng )新進(jìn)行交流。X-FAB XIPD晶圓上的電感器測試結構XIPD源自廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝——該技術(shù)利用工程基底和厚銅金屬化層，讓客戶(hù)能夠在其器
關(guān)鍵字： X-FAB 無(wú)源器件晶圓代工廠(chǎng)

X-FAB領(lǐng)導歐資聯(lián)盟助力歐洲硅光電子價(jià)值鏈產(chǎn)業(yè)化

中國北京，2023年6月15日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在開(kāi)展photonixFAB項目---該項目旨在為中小企業(yè)和大型實(shí)體機構在光電子領(lǐng)域的創(chuàng )新賦能，使其能夠輕松獲得具有磷化銦（InP）和鈮酸鋰（LNO）異質(zhì)集成能力的低損耗氮化硅（SiN）與絕緣體上硅（SOI）光電子平臺。在此過(guò)程中，模擬/混合信號晶圓代工領(lǐng)域的先進(jìn)廠(chǎng)商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）牽頭發(fā)起一項戰略倡議，旨在推
關(guān)鍵字： X-FAB 硅光電子 PhotonixFab 光電子